长鑫科技披露4F² DRAM架构突破，年底推出新一代DDR5 RDIMM服务器内存

在 10 月 9 日至 10 日于上海举行的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫科技（688825.SH）总裁曹堪宇披露了公司在 DRAM 器件、4F² 架构及混合键合等方向的关键进展，并官宣预计今年底推出融合上述技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品。这意味着中国存储芯片企业在底层物理架构上，正从“跟随”走向“并行”。

目前 DRAM 行业主流架构是 6F²，而 4F² 将每个存储单元占用的面积从 6 倍最小特征尺寸的平方压缩到 4 倍，单位面积内晶体管数量随之增多，存储密度显著提升。曹堪宇介绍，长鑫 4F² 架构最核心的创新是自研的 VSG（垂直包围沟道）晶体管：竖立的沟道结构带来更强栅控能力，有效解决漏电与短沟道效应两大物理痛点，同时助力面积微缩。

从 6F² 迈向 4F² 并非简单缩小图纸，而是晶体管沟道从水平布局向竖立布局的根本性变革，整套工艺流程无法完全复用。长鑫的解法是让 DRAM 与 CMOS 制造工艺解耦，再通过晶圆级混合键合实现高速互联，从而独立优化逻辑性能与存储密度。据披露，长鑫自成立起便布局 4F²，公开专利族已超 300 件，数量领先海内外同行。

首代 4F² 产品被定为面向服务器市场的 DDR5 RDIMM，直接切入此前由海外厂商主导、长鑫此前较少涉及的领域——与追求“跑得快”的消费级内存不同，服务器内存要求“一直跑、不出错、在哪里都能跑”，技术壁垒更高。这延续了长鑫拓展服务器业务的节奏：8 月底，其最新一代低功耗内存 LPDDR6 刚刚量产，成为业内较早量产该产品的厂商之一。在 DRAM 微缩日益困难的当下，4F² 被视为从二维缩放迈向三维集成的关键拐点。