传台积电应英伟达要求规划3D DRAM 拟进军先进存储芯片

据科技媒体The Information援引两名知情人士报道，全球最大芯片代工厂台积电正考虑将业务拓展至先进存储芯片制造领域，并已应其最大客户英伟达的要求，开始规划生产一种名为“3D DRAM”的新型存储芯片。作为长期为英伟达代工AI芯片的代工巨头，台积电目前尚未确定量产时间，正评估两条路径：一是建设专用新厂，二是收购现有半导体工厂并改造为存储产线。台积电回应称不对市场传闻置评，并强调始终聚焦晶圆代工核心业务；英伟达未回应置评请求。

3D DRAM是一种通过垂直堆叠存储单元来提升容量的先进架构，被视为应对AI算力对高密度内存需求的关键方向之一。它与当前AI加速器广泛使用的HBM（高带宽内存）并非同一技术路线，但共同指向一个现实矛盾：大模型训练与推理对内存的消耗快速增长，传统供给路径已难以单独支撑系统性能。长期以来，台积电为英伟达代工逻辑芯片，并通过CoWoS等先进封装将GPU与HBM集成；若进一步切入存储制造，其业务边界将从代工、封装延伸至三星、SK海力士与美光主导的存储市场。

这一动向背后，是AI产业扩张带来的存储供需失衡。随着英伟达等厂商不断推出更强AI加速器，数据中心对HBM与服务器DRAM的需求激增，而HBM生产占用大量先进DRAM产能，存储厂商纷纷向高附加值产品倾斜，进一步加剧供应紧张、推高价格。苹果今年早些时候就以存储成本上涨为由上调部分产品售价。在存储涨价、供给受限的背景下，英伟达等大型芯片买家积极寻找额外供应渠道，这成为其推动台积电研究3D DRAM的重要动机。

不过，台积电入局面临现实门槛。DRAM制造具有强周期、高资本投入与工艺积累壁垒，三星、SK海力士与美光已打磨数十年。美光今年3月以18亿美元收购一座晶圆厂改造DRAM产线，预计2027年下半年才形成有意义的产出，印证了跨界的时间成本。台积电该项目由负责先进封装的副总裁徐国晋牵头，其在存储与整合领域经验丰富，但分析普遍认为，短期台积电更可能以共同开发或专用技术验证为主，而非贸然转向标准存储的大规模量产。

对全球AI供应链而言，这则传闻释放的信号值得关注：AI算力竞争正从“制程与封装”延伸至“内存架构与系统集成”。HBM主导的高带宽体系之外，3D DRAM等新架构进入产业视野。短期看，DRAM与HBM三强格局不会因一则传闻改变；中长期若台积电真正入局，AI芯片供应链的竞争焦点，将从单一芯片性能转向计算、存储与封装的协同效率。